LMG3411R150RWHR
N/A
Deutsch
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
---|---|
1+ | $11.51 |
10+ | $10.577 |
25+ | $10.1384 |
100+ | $8.9327 |
250+ | $8.4943 |
500+ | $7.9463 |
1000+ | $7.755 |
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Spannung - Versorgung (Vcc / Vdd) | 9.5V ~ 18V |
Spannung - Last | 480V (Max) |
Schaltertyp | Load Switch |
Supplier Device-Gehäuse | 32-VQFN (8x8) |
Serie | - |
Rds On (Typ) | 150mOhm |
Verhältnis - Eingang: Ausgang | 1:1 |
Verpackung / Gehäuse | 32-VQFN Exposed Pad |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Ausgabetyp | N-Channel |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Ausgangskonfiguration | High Side |
Betriebstemperatur | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Anzahl der Ausgänge | 1 |
Befestigungsart | Surface Mount |
Schnittstelle | Logic, PWM |
Eingabetyp | Non-Inverting |
Eigenschaften | Bootstrap Circuit, 5V Regulated Output |
Fehlerschutz | Over Current, Over Temperature, UVLO |
Strom - Ausgabe (max) | 6A |
Grundproduktnummer | LMG3411R150 |
SMART 50MOHM GAN FET WITH DRIV
SMART 150MOHM GAN FET WITH DRIVE
IC GAN FET DRIVER
IC HALF BRIDGE DRVR 1.2A 54VQFN
PROTOTYPE
600-V 30-M GAN FET WITH INTEGRAT
PWR MGMT MOSFET/PWR DRIVER
SMART 150MOHM GAN FET WITH DRIVE
600-V 50-M GAN FET WITH INTEGRAT
600-V 70MOHM GAN WITH INTEGRATED
DEVELOPMENT POWER MANAGEMENT
600-V 30-M GAN FET WITH INTEGRAT
LMG3422R050 600-V 50-M HALF-BRID
IC HALF BRIDGE DRVR 1.2A 54VQFN
SMART 50MOHM GAN FET WITH DRIV
LMG3411 EVM
IC HALF BRIDGE DRVR 1.2A 54VQFN
IC HALF BRIDGE DRVR 1.2A 54VQFN
LMG3411 EVM
SMART 150MOHM GAN FET WITH DRIVE
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() LMG3411R150RWHRN/A |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|